第三代半导体

【安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件】12月19日电，据安森美官微19日消息，安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺，以及自身行业领先的硅基驱动器...

【丰田将在其车载充电系统采用Wolfspeed碳化硅器件】12月11日电，Wolfspeed公司当地时间12月9日宣布与丰田公司达成合作，丰田公司将在其车载充电系统采用Wolfspeed车规级MOSFET，Wolfspeed碳化硅器件将被集成到丰田公司的纯电动汽车中。

【江苏“十五五”规划建议：推动量子科技、脑机接口、具身智能等一批前沿性未来产业形成现实生产力】12月11日电，中共江苏省委关于制定江苏省国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议发布，其中提到，培育壮大未来产业。探索多元技术路线、典型应用场景、可行商业模式、市场监管规则，加快壮大第三代半导体、氢...

【九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电】《科创板日报》4日讯，九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果。100万个该模块装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念...

【英诺赛科胜诉 两项核心GaN专利获国家知识产权局维持有效】11月19日电，根据中国国家知识产权局最新审查决定，全球氮化镓龙头英诺赛科（Innoscience）今日正式获得关于其两项核心氮化镓（GaN）专利有效性的胜利结果，该决定明确维持英诺赛科专利权利要求全面有效，驳回了英飞凌（Infine...

【半导体龙头烁科晶体增资 国家军民融合产业投资基金、建信投资等斥资8亿入股】11月17日电，记者11月17日自北京产权交易所获悉，山西烁科晶体有限公司增资项目成交，增资方为国家军民融合产业投资基金二期有限责任公司、国调二期协同发展基金股份有限公司、建信金融资产投资有限公司，投资金额分别为...

【SK keyfoundry计划明年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务】11月12日电，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，正加速开发碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术。该公司近期已完成对碳化硅领域关键企业SK powertech的收购。SK keyfoundry表示，正加...

【安森美推出垂直氮化镓功率半导体】10月31日电，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。据介绍，对于超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，使电流能够垂直流过芯片，而不是沿表面横向流动。，这一方案降低能量损耗和热量，损耗减少近50%。目...

【中信建投：伴随算力需求提升与第三代半导体发展 未来金刚石在高端散热市场空间广阔】10月22日电，中信建投研报称，随着半导体产业更先进制程迈进，芯片尺寸缩小而功率激增，“热点”问题突出，芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降，催生对高效散热方案的需求。金刚石是理想散热材料，热导率可达2000...

【晶盛机电：首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线】9月26日电，据晶盛机电官微消息，9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。