第三代半导体

【安森美推出垂直氮化镓功率半导体】10月31日电，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。据介绍，对于超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，使电流能够垂直流过芯片，而不是沿表面横向流动。，这一方案降低能量损耗和热量，损耗减少近50%。目...

【中信建投：伴随算力需求提升与第三代半导体发展 未来金刚石在高端散热市场空间广阔】10月22日电，中信建投研报称，随着半导体产业更先进制程迈进，芯片尺寸缩小而功率激增，“热点”问题突出，芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降，催生对高效散热方案的需求。金刚石是理想散热材料，热导率可达2000...

【晶盛机电：首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线】9月26日电，据晶盛机电官微消息，9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。

【赛晶科技：赛晶半导体与三安半导体签订战略合作框架协议】9月12日电，赛晶科技在港交所公告，9月12日，公司旗下子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”）与湖南三安半导体有限责任公司（简称“三安半导体”）签订战略合作框架协议，正式建立全面战略合作伙伴关系。赛晶半导体主要从事...

【Wolfspeed宣布200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用】9月11日电，全球碳化硅厂商Wolfspeed公司宣布，公司200mm碳化硅材料产品开启大规模商用。此前，公司在初步向部分客户提供200mm碳化硅产品之后，市场反响积极且效益显著。 (证券时报)

【天科合达：年初即实现导电型SiC衬底累计百万片级的出货突破】9月6日电，据天科合达官方消息称，公司2025年初即实现导电型SiC衬底累计百万片级的出货突破，另外在“上车”应用方面也不断取得突破进展，公司正成为推动Si基功率芯片升级为SiC功率芯片，实现主驱规模化替代的重要力量。在实现碳化硅衬...

【碳化硅概念持续走强 天岳先进等多股涨停】9月5日电，午后碳化硅概念持续走强，天岳先进、科创新材涨停，此前露笑科技、天通股份、中恒电气涨停，晶盛机电、三安光电、天富能源、东尼电子涨幅靠前。消息面上，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材...

【消息称英伟达拟将Rubin处理器CoWoS中间基板材料替换为碳化硅 台积电正推进相关研发】《科创板日报》5日讯，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟...

8月22日电，东芝与SICC将探索碳化硅（SiC）功率芯片合作。

【深圳市在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破】8月13日电，记者昨日从市国资委了解到，由市属国企深重投集团与市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。该国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高...