存储器

【新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍】5月22日电，美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。新型NAND闪存利用了与硅工艺兼...

【南亚科：2-3年后产能将比目前增加80%至100%】《科创板日报》21日讯，存储器厂南亚科董事长邹明仁表示，公司今年将完成16Gb规格DDR5产品的验证工作，推进LPDDR5产品试产进度，同时加快1C、1D、1E自研制程工艺的研发。预计2026年资本支出超过520亿新台币。总经理李培瑛表示，新厂预...

【产业链迎业绩与估值双重驱动 存储芯片板块投资机遇凸显】5月19日电，在人工智能算力需求引发全球存储芯片涨价、国产化率逐步提升的背景下，存储芯片板块已迎来业绩增长与估值修复双重驱动的窗口期。Wind数据显示，A股存储芯片板块5月18日表现亮眼，万得存储器概念指数上涨3.98%。分析人士认为，存...

【机构：5月手机面板市场需求持续疲软】5月18日电，CINNO Research指出，进入5月，受上游存储器价格大幅上涨及终端品牌采购需求收缩的双重冲击，手机面板市场需求持续疲软。与此同时，铜、银等大宗商品涨价带动FPC、IC等关键资材的涨价预期升温，在买方议价权进一步增强的背景下，面板厂面临...

《科创板日报》18日讯，消息传出，三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升，1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%。 (台湾电子时报)

【三星电子开发下一代HBM封装技术 或用于智能手机等移动设备】《科创板日报》15日讯，三星电子正在开发下一代HBM封装技术，旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供高性能的设备端AI。该技术名为“多层堆叠FOWLP”，结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠（VCS...

【中芯国际赵海军：AI带动电源管理等芯片需求 车规模拟BCD平台需求旺盛】《科创板日报》15日讯，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，AI热潮带动电源管理、数据传输等芯片需求提升，同时挤压NOR Flash等存储器产能供应链，使得公司独立式闪存工艺平台及模拟工艺台需求旺盛。公司车规工艺覆盖逻辑、...

【机构：2Q26 Mobile DRAM合约价续强 压缩智能手机产量】《科创板日报》14日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器调查，2026年第二季Mobile DRAM合约价持续大幅上扬，智能手机品牌面临更沉重的成本压力。其中，韩系两大原厂价格策略出现分化：三星倾向一次到位，涨幅相对显著...

【三星电子计划重启新型半导体业务】《科创板日报》12日讯，随着主要存储器业务趋于稳定，三星电子DS事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资。据悉，此次商讨的重点在于研发方向和设施投资的时间安排。正在讨论重启的主要新业务包括下一代NAND闪存、化合物半导体以及先进封装和基板。 (ETNews)

【存储芯片短缺持续 国内产业链深度受益】5月12日电，全球存储芯片龙头SK海力士、三星电子股价5月11日创下历史新高。AI算力需求、大厂资本投入持续带动存储芯片需求。高盛研报显示，市场正面临15年来最严重的存储芯片供应短缺。机构预计存储芯片今年二季度价格将持续大幅上涨。中国供应链也受益于本轮涨...