HBM

【三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高】5月19日电，据媒体援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提高到92%（基于冷态测试），并将安装在HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率提高到75%以上。

《科创板日报》18日讯，消息传出，三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升，1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%。 (台湾电子时报)

【国泰海通：AI产业链通胀 Agent预计引爆下一轮产业链价格上行】5月15日电，国泰海通证券研究报告认为，当前AI驱动的全产业链涨价潮正重塑半导体价值分配格局，掌握核心壁垒的上游环节将主要受益，建议关注存储巨头及先进制程代工厂；其次，关注供需缺口扩大的核心材料环节和国产替代加速的设备商；最后...

【三星电子开发下一代HBM封装技术 或用于智能手机等移动设备】《科创板日报》15日讯，三星电子正在开发下一代HBM封装技术，旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供高性能的设备端AI。该技术名为“多层堆叠FOWLP”，结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠（VCS...

【SK海力士市值逼近万亿美元】5月14日电，韩国存储芯片巨头SK海力士5月14日的市值达到约9420亿美元，有望成为三星电子之后下一家迈入万亿美元俱乐部的亚洲芯片公司。今年以来，受人工智能热潮推动，高带宽存储（HBM）芯片需求激增，SK海力士股价已累计上涨超过200%。

【花旗：将SK海力士目标价从170万韩元上调至310万韩元】5月12日电，花旗发表报告，预期SK海力士将受益于强劲的大宗记忆体平均售价上升趋势，以及2026年下半年高频宽记忆体(HBM)价格增长优于预期。由于预计2026年第四季HBM定价将季增30%，该行预期SK海力士将受益于HBM产品组合效...

【存储三巨头押注DRAM新技术 或打开两类接口芯片空间】5月6日电，服务器DRAM模块的最新一代标准“MRDIMM”据悉已经进入最后开发阶段，联合电子设备工程委员会（JEDEC）的成员包括三星电子、SK海力士和美光等主要存储器公司，正在积极开发MRDIMM产品，以满足未来不断增长的需求。有别于...

【存储“超级周期”进入业绩兑现阶段】4月24日电，近期，A股存储产业链上市公司一季度业绩情况密集披露，单季度盈利超过去年全年向市场传递出清晰信号：由AI驱动的存储“超级周期”开始进入业绩兑付期。记者采访了解到，在HBM产能被提前订购、存储价格连续跳涨的背景下，本轮存储芯片供不应求的市场格局将至...

①为什么光通信板块能持续吸金；②龙头业绩超预期，细分业务订单同比增速近90%，AI拉动该行业持续高景气；③该行业ETF连续两天净流入。

【SK海力士计划2027年实现下一代高带宽内存芯片HBM4E的量产】4月23日电，SK海力士高管周四在业绩电话会议上表示，公司计划2027年实现下一代高带宽内存芯片HBM4E的量产，公司计划今年下半年开始向客户提供HBM4E样品。关于HBM4，SK海力士计划按照既定计划逐步提高产量，以满足客户...