-
【机构：DDR5高获利放大产能排挤效应 2026年HBM3e定价动能同步转强】12月18日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随...
-
【美光CEO：全球HBM潜在市场有望在2028年达到千亿美元】12月18日电，美东时间周三盘后，美光公布的财报显示HBM市场需求爆棚，公司CEO桑贾伊·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在业绩电话会上表示，预计到2028年，全球HBM总潜在市场（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为...
-
【SK海力士向ASMPT订购热压键合机以生产HBM4】《科创板日报》15日讯，SK海力士已向新加坡ASMPT公司订购了一批新的热压键合机（TCB），以支持HBM4的生产。据悉，SK海力士上个月向ASMPT订购了7套TC键合系统，每套系统配备两个键合头。每套系统单价约为40亿韩元，合同总金额估计约为3...
-
【SK海力士推迟HBM4量产计划 拟大幅增加HBM3E产量】《科创板日报》8日讯，SK海力士HBM4的量产已推迟至明年3月或4月，HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。公司现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。据悉，SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产...
-
【三星完成第六代HBM4芯片开发 向英伟达送样待量产批示】12月2日电，三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发，并正进入量产准备阶段。这家韩国科技巨头目前正向英伟达发送HBM4原型样品进行质量测试。三星的目标是在年底前完成HBM4的开发，一旦通过英伟达的质量测试，便可能立即开始...
-
【机构：2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%达414亿美元】11月26日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达...
-
【中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货HBM客户端】11月22日电，据中科飞测消息，近日，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备——GINKGOIFM-P300出货HBM客户端。GINKGOIFM-P300的成功推出，标志着我国在该领域实现了重大突破，打破了国外厂商的长期垄断，突破国内设备对超高翘曲晶圆...
-
【消息称三星调整存储业务战略：聚焦DRAM盈利 暂缓HBM扩张】《科创板日报》19日讯，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略，在DRAM价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型DRAM的生产，以提高盈利能力。 ...
-
【小米卢伟冰：已签2026年内存供应协议 可能通过涨价应对成本上升】《科创板日报》18日讯，在今日举行的小米三季度业绩媒体电话会上，小米集团合伙人、总裁卢伟冰就存储成本攀升问题作出回应。他指出，当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增，而非传统的手机、笔记本行业周期波动。...
-
【三星电子、SK海力士目标在2026年上半年完成HBM4E的研发】《科创板日报》13日讯，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在2026年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计...