SK海力士推进全新HBM封装技术或缩小DRAM层间距

2026/3/4 08:29:44

【SK海力士推进全新HBM封装技术或缩小DRAM层间距】《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。 (ZDnet)